據(jù)報道，日本內(nèi)存大廠爾必達(dá)近日宣布了業(yè)界首個2Gb DDR2移動內(nèi)存顆粒（Mobile DRAM），該內(nèi)存顆粒將主要用于高端手機、上網(wǎng)本和MID產(chǎn)品上。
    新2Gb DDR2移動內(nèi)存顆粒采用50nm CMOS制程工藝，數(shù)據(jù)傳輸速率800Mbps，由于采用了低壓、低功耗技術(shù)，它的工作電壓僅為1.2V，功耗是同密度、同速度的DDR2內(nèi)存顆粒的1/16。
    該顆粒可采用SIP系統(tǒng)級封裝、POP層疊堆裝和MCP多芯片封裝三種封裝方式。爾必達(dá)將于十月份推出基于該顆粒的樣品顆粒，2010年下半年開始量產(chǎn)。

上一篇：印制電路板設(shè)計原則和抗干擾措施
下一篇日商巨資提高40納米芯片產(chǎn)量
溫馨提示：
凡在本公司進(jìn)行電路板克隆業(yè)務(wù)的客戶，必須有合法的PCB設(shè)計版權(quán)來源聲明，以保護(hù)原創(chuàng)PCB設(shè)計版權(quán)所有者的合法權(quán)益；